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加快Micro LED商用化,爱思强说:它扮演着重要角色


文章作者:www.orrapin.com 发布时间:2019-09-25 点击:919



中国LED网络2019.9.4我要分享

从产品开发进度的角度来看,Micro LED迫在眉睫,但是从商业化的角度来看,Micro LED则遥遥无期。从初始阶段到现在,Micro LED技术取得了长足的进步,市场上的相关产品层出不穷。但是,由于技术瓶颈和成本问题,微型LED在广泛推广之前还有很长的路要走。

根据最新的研究报告《2019 Micro LED次世代显示关键技术报告》,Micro LED技术面临许多挑战,但是与两年前相比,当前的技术进步已有很大改善,并且早期的专利技术已经成为一种固体样品显示机器。随着微型LED技术的成熟,微型LED的商业化将逐步加速。另外,Micro LED的制造过程繁琐且要求更高。制造过程中使用的原材料,工艺耗材,生产设备,测试仪器和辅助夹具需要严格的规格和相对严格的精度。

对于微型LED的商业化,过程中的每个相互联系的环节都非常重要,例如MOCVD,这是制造LED外延晶片的关键核心设备。德国MCVD设备供应商Aisiqiang一直致力于外延技术的研究和开发,旨在促进micro-LED的大规模生产并加速micro-LED产品的市场应用。

关于Micro LED的应用,艾斯强认为,电视显示面板将是第一个打开市场的商业产品。其次,对于未来的Micro LED来说,车载显示器还是一个相对较大的应用市场。随着客户需求的增加,升级汽车显示的需求也逐渐增加,例如动态显示汽车内部和外部的信息,以及营造一种增加人与车辆之间互动的氛围。其他应用市场包括智能手机,AR/VR,可穿戴设备等。

产量和成本是阻碍Micro LED批量生产的两个因素

艾思强表示,现阶段,与LCD和OLED相比,Micro LED没有成本优势。降低成本涉及许多因素,例如缺陷率和良率。由于Micro LED芯片的超小尺寸,技术难度大,产量难以保证,因此成本较高。特别地,红光的处理受到材料和特性的限制,并且红光产率低并且可靠性不高,因此成本非常高。

作为制造LED外延晶片的关键核心设备,MOCVD外延晶片的生产良率包括波长均匀性,弯曲管理和缺陷密度。

以传统的显示屏LED芯片为例,分拣环节成本的比重很大。如果删除此链接,成本将下降很多。对于Micro LED,由于生产工艺和成本的原因,不可能进行分选步骤,这表明波长均匀性非常高。为了实现Micro LED的批量生产,由MOCVD设备生产的所有外延晶片必须具有4 nm或更小的波长范围。

在翘曲管理方面,艾斯强认为Micro LED的发展将超过6英寸,而6英寸翘曲管理与4英寸有很大不同。无论是硅衬底还是蓝宝石衬底,都需要特殊的外延工艺来实现稳定的翘曲性能。

如果将波长均匀性维持在4nm的范围内,则翘曲管理小于50μm,并且将缺陷密度控制在0.15/cm 2以内,可以确保成品率。

MOCVD的C2C和原位清洗技术有助于将Micro LED商业化

就高产量和低成本而言,Axon的自动盒(C2C)晶圆转移模块技术可在封闭的盒环境中自动装载8x6“或5x8” GaN-on-Si硅晶圆。并且去除,在确保外延晶片的颗粒密度的同时提高了产量。

图1: G5 + C C2C传输模块

此外,爱神MOCVD设备还具有就地清洁技术,可确保每次运行时都对设备进行清洁,从而确保外延晶圆的缺陷密度低,并显着减少停机时间。确保高产量,从而降低生产成本。

据报道,自动原位清洗技术是半导体行业的标准技术,但是在MOCVD设备领域,由于以下原因,该技术尚未普及:氮化镓的分解温度很高,达到1400- 1500摄氏度。如果是氯气,温度将相对较低,最高900摄氏度,包括腔体的表面和所有面都需要降低到该温度,这对于MOCVD设备制造商来说是非常具有挑战性的。目前,许多MOCVD设备使用不锈钢结构,并且不锈钢需要用水冷却,这与900摄氏度不一致。艾斯强的MOCVD设备使用完整的石墨腔,以确保稳定的表面沉积并确保可将石墨加热到900摄氏度以上。

艾思强表示,这两种MOCVD设备技术是实现高产量和低成本Micro LED的关键技术。传统的LED生产需要转变为更加自动化的生产模式,以确保高产量,降低成本并加速Micro LED的批量生产。

图2: AIX G5 + C行星反应堆

据了解,爱思强的配备有自动盒式(C2C)和自动原位清洗技术的行星反应器平台已收到许多客户的订单,这极大地优化了外延晶圆的产量和生产自动化水平。

未来,艾思强将继续投资于技术研发,以帮助Micro LED商业化。

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从产品开发进度的角度来看,Micro LED迫在眉睫,但是从商业化的角度来看,Micro LED距离很远。从最初的萌芽期到现在,Micro LED技术取得了长足的进步,市场上的相关产品也浮出水面。但是,由于技术瓶颈和成本问题,Micro LED长期以来一直被广泛使用。

根据LEDinside(LEDinside)《2019 Micro LED次世代显示关键技术报告》的最新研究报告,Micro LED技术面临许多挑战,但与两年前相比,当前的技术进步已有很大提高。早期的专利技术已经具有物理样本显示机。出现。随着Micro LED技术的成熟,Micro LED的商业化将逐步加速。另外,Micro LED的制造过程繁琐且苛刻。在此过程中使用的原材料,工艺耗材,生产设备,测试仪器和辅助固定装置要求严格的规格和相对精确的精度。

Micro LED的商业化对于该过程的每个方面都很重要,例如MOCVD是用于LED外延晶圆制造的关键核心器件。总部位于德国的MOCVD设备供应商Austin一直在致力于外延晶片的开发,以促进Micro LED的大规模生产并加速将Micro LED产品推向市场。

关于Micro LED的应用,艾斯强认为,电视显示面板将是第一个打开市场的商业产品。其次,对于未来的Micro LED来说,车载显示器还是一个相对较大的应用市场。随着客户需求的增加,升级汽车显示的需求也逐渐增加,例如动态显示汽车内部和外部的信息,以及营造一种增加人与车辆之间互动的氛围。其他应用市场包括智能手机,AR/VR,可穿戴设备等。

产量和成本是阻碍Micro LED批量生产的两个因素

艾思强表示,现阶段,与LCD和OLED相比,Micro LED没有成本优势。降低成本涉及许多因素,例如缺陷率和良率。由于Micro LED芯片的超小尺寸,技术难度大,产量难以保证,因此成本较高。特别地,红光的处理受到材料和特性的限制,并且红光产率低并且可靠性不高,因此成本非常高。

作为制造LED外延晶片的关键核心设备,MOCVD外延晶片的生产良率包括波长均匀性,弯曲管理和缺陷密度。

以传统的显示屏LED芯片为例,分拣环节成本的比重很大。如果删除此链接,成本将下降很多。对于Micro LED,由于生产工艺和成本的原因,不可能进行分选步骤,这表明波长均匀性非常高。为了实现Micro LED的批量生产,由MOCVD设备生产的所有外延晶片必须具有4 nm或更小的波长范围。

在翘曲管理方面,艾斯强认为Micro LED的发展将超过6英寸,而6英寸翘曲管理与4英寸有很大不同。无论是硅衬底还是蓝宝石衬底,都需要特殊的外延工艺来实现稳定的翘曲性能。

如果将波长均匀性维持在4nm的范围内,则翘曲管理小于50μm,并且将缺陷密度控制在0.15/cm 2以内,可以确保成品率。

MOCVD的C2C和原位清洗技术有助于将Micro LED商业化

就高产量和低成本而言,Axon的自动盒(C2C)晶圆转移模块技术可在封闭的盒环境中自动装载8x6“或5x8” GaN-on-Si硅晶圆。并且去除,在确保外延晶片的颗粒密度的同时提高了产量。

图1: G5 + C C2C传输模块

此外,爱神MOCVD设备还具有就地清洁技术,可确保每次运行时都对设备进行清洁,从而确保外延晶圆的缺陷密度低,并显着减少停机时间。确保高产量,从而降低生产成本。

据介绍,自动原位清洗技术是半导体行业的标准技术,但在MOCVD设备领域,该技术尚未推广,原因如下:氮化镓的分解温度很高,达到1400 1500摄氏度。如果是氯气,温度将相对较低,高达900摄氏度,包括表面和腔体的所有面都需要降低到这个温度,这对于MOCVD设备制造商来说是非常具有挑战性的。目前,许多MOCVD设备采用不锈钢结构,不锈钢需要用水冷却,与900摄氏度不一致。艾斯强的MOCVD设备使用全石墨腔来确保稳定的表面沉积,并确保石墨可以加热到900摄氏度以上。

艾思强表示,这两种MOCVD设备技术是实现高效率,低成本的关键技术。传统的LED生产需要转向更加自动化的生产模式,以确保高产量,降低成本并加速微型LED的大规模生产。

图2: AIX G5 + C行星反应堆

据了解,艾斯强的行星式反应堆平台配备了自动盒式磁带(C2C)和自动原位清洗技术,已接到众多客户的订单,极大地优化了外延片的产量和生产自动化水平。

未来,艾思强将继续投资技术研发,以帮助Micro LED商业化。

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